3月23日，东芯股份回覆了科创板IPO申请第二轮问询。公司暗示，将来将在充实思量代工可行性、工艺不变性、市场空间等因素的前提下，当令研发3D NANDFlash产物。

　　东芯股份是领先的存储芯片设计公司，聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售，同时提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片完整办理方案，以及芯片定制开拓处事。本次公司拟募资7.5亿元，用于1xnm闪存产物研发及财富化项目、车规级闪存产物研发及财富化项目、研发中心建立项目和增补活动资金。

　　持续吃亏

　　按照招股书，东芯股份尚未盈利且母公司最近一期存在累计未补充吃亏。2017年至2019年及2020年上半年（陈诉期），公司实现归属于母公司扣除很是常性损益后的净利润别离为-3242.93万元、-3040.02万元、-6343.22万元和-9471万元。上交所要求公司团结行业特点阐明并披露呈现该等景象的原因。

　　公司回覆称，主要原因包罗产物导入周期长，本钱尚不具备优势等。同时，公司产物仍处于导入期，形陈局限化销售尚需一按时间。

　　陈诉期内，公司产物系列慢慢富厚，慢慢向家产节制规模扩展。客户布局优化，进入三星电子、海康威视等知名客户的供给链体系。跟着公司产物销售局限的晋升以及多渠道供货的保障，公司产物将慢慢具备竞争优势。将来跟着公司整体销售局限的一连增长，将来将实现盈利。

　　东芯股份暗示，2021年-2022年，公司在通讯设备、可穿着设备等规模的大客户将完成前期导入，产物销售将慢慢放量。东芯股份估量，在毛利率、变换本钱用度比例、牢靠本钱保持相对不变的环境下，公司营业收入到达7.5亿元阁下将实现盈利。

　　紧跟国产化海潮

　　生意业务所要求公司说明，陈诉期Fidelix和刊行人业务的详细分别环境，包罗产物、客户、供给商、技能等的境表里详细布置，并团结财政数据别离说明陈诉期境表里业务的开展和后续成长环境。

　　产物方面，东芯股份披露，其主要销售自主常识产权的NANDFlash、NORFlash产物，陈诉期早期少量销售部门DRAM、MCP产物；Fidelix主要销售DRAM、MCP、NORFlash、NANDFlash。

　　客户方面，东芯股份称，其与Fidelix独立开拓客户，利用东芯品牌的产物销售客户主要会合在大中华地域；Fidelix沿用Fidelix品牌销售，在全球范畴销售DRAM、MCP产物及利用海力士晶圆的NANDFlash产物，NORFlash产物的客户主要会合在非大中华地域。

　　运营方面，东芯股份称，公司今朝认真集团自有常识产权的NAND、NOR和DRAM产物的晶圆采购，集团范畴实现统一采购。Fidelix因合封MCP产物需采购海力士NANDFlash晶圆由其自行采购。思量到终端客户对芯片产物差异的封装工艺要求，各自按照自身要求选择封装测试厂商。

　　东芯股份主要认真NANDFlash、NORFlash系列产物的研发；Fidelix主要认真DRAM、MCP系列产物的研发。

　　陈诉期内，公司销售局限逐年晋升，盈利环境整体呈改进趋势。公司称，后续将不绝紧跟国产化海潮，开辟优质客户。Fidelix按照自身优势开展策划，两边在品牌、客户、供给链等方面均具备一连的策划本领。

　　今朝存储芯片市场会合度较高，海南公司注册，头部企业大都为外国公司。2019年，公司SLC NANDFlash、NORFlash产物和DRAM的市占率别离为1.27%、0.86%和0.54%。

　　公司暗示，拥有自主常识产权产物销售收入由2017年的1.04亿元增长至2019年的2.68亿元，2020年有望进一步增长至5亿元阁下。

　　机关3D NAND产物

　　东芯股份主要为客户提供NAND、NOR及DRAM等存储芯片。对付NANDFlash产物，公司主要聚焦平面型SLC NANDFlash的设计与研发，存储容量包围1Gb至8Gb，其下游应用场景包围5G通讯模块和集成度要求较高的终端系统运行模块等。

　　今朝，东芯股份尚未在3D NAND规模机关。生意业务所要求公司说明，今朝产物未涉及2D MLC/TLC、3D NAND规模的原因。

　　东芯股份回覆称，公司虽已有2D MLC/TLC、3D NAND相关技能储蓄，海南公司注册，海南省民企服务中心，但今朝整体局限较小。“将来将在充实思量代工可行性、工艺不变性、市场空间等因素的前提下，当令研发3D NANDFlash产物”。

　　据相识，东芯股份聚焦的SLC NAND属于中小容量NANDFlash产物，对比三星电子、美光科技、海力士等重点机关的大容量NANDFlash，中小容量存储产物市场局限有限，头部企业在中小容量产物上的投入较少，这也给了具备研发本领的本土公司切入存储芯片行业提供了时机。

　　招股书显示，东芯股份与中芯国际配合开拓了内陆第一条NANDFlash工艺产线，并将NANDFlash工艺制程推进至24nm。此次公司拟利用2.3亿元募投资金投向1xnm（约16至19nm级别）闪存产物研发及财富化项目。